IGBT|SiC功率半導體器件測試設備

武漢普賽斯儀表有限公司 2026-02-25 17:19:26

PMST系列IGBT|SiC功率半導體器件測試設備是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、 CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。詳詢

IGBT|SiC功率半導體器件測試設備
IGBT|SiC功率半導體器件測試設備

產品特點

1、高電壓、大電流


具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))


2、高精度測量


nA級漏電流,μΩ級導通電阻

0.1%精度測量


四線制測試

3、模塊化配置

4、測試效率高

5、軟件功能豐富

6、擴展性好

IGBT|SiC功率半導體器件測試設備

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