高純度 CAN 溶液 鈰銨鉻掩模蝕刻

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）
納米 CeO?磨料前驅(qū)體：高純度 CAN（≥5N）經(jīng)熱解 / 水熱法制備單分散 CeO?納米磨料，用于晶圓、SiC/GaN 襯底、銅互連的全局平坦化。
性能優(yōu)勢(shì)：莫氏硬度 6.5，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整度（Ra≤0.1nm）；SiC 去除速率達(dá) 1500–2000 ?/min（較 SiO?提升 3 倍），缺陷密度降低 70%。
先進(jìn)制程應(yīng)用：臺(tái)積電 5nm 工藝中，CAN 基拋光液將晶圓全局平整度（GBIR）控制在50nm 以內(nèi)。
2. 光掩模與晶圓蝕刻
鉻掩模蝕刻：高純度 CAN 溶液（≥99.9%）是鉻層專用蝕刻液，選擇性高、速率可控（50–200 nm/min）、不損傷光刻膠，用于芯片與面板掩模制造。
金屬層精細(xì)蝕刻：酸性條件下精準(zhǔn)蝕刻Cr、Ti、NiCr等，線寬精度 ±0.1μm，用于集成電路金屬線路圖案化。
晶圓清洗：強(qiáng)氧化性高效去除表面有機(jī) / 金屬雜質(zhì)，清洗效率99.9%，保障后續(xù)制程穩(wěn)定性。
3. 絕緣 / 功能薄膜制備
高 k 柵極絕緣層：以 CAN 為鈰源，通過 CVD/ALD 制備CeO?基高介電常數(shù)（k=25–30）絕緣膜，絕緣電阻 > 1012Ω，熱穩(wěn)定性優(yōu)異，用于先進(jìn)邏輯芯片與 TFT 器件。
抗反射 / 鈍化膜：溶膠 - 凝膠法制備 CeO?薄膜，用于硅片表面減反與鈍化，提升器件光電性能與可靠性。