DB-FIB雙束聚焦離子束顯微鏡-顯微分析技術(shù)測(cè)試

【FinFET結(jié)構(gòu)原子級(jí)表征案例】

FinFET作為先進(jìn)制程核心結(jié)構(gòu)，其柵極寬度與界面質(zhì)量直接影響芯片性能。通過DB-FIB制備FinFET超薄切片，利用TEM獲得原子級(jí)形貌與晶格圖像。案例顯示，我們成功解析了3nm芯片中Fin的側(cè)壁粗糙度、柵氧層厚度與界面缺陷，為客戶提供工藝優(yōu)化依據(jù)?！緩V電計(jì)量SEM/TEM測(cè)試服務(wù)】涵蓋晶圓級(jí)制造與失效分析，結(jié)合EDS進(jìn)行成分映射，全面支撐高端芯片研發(fā)與量產(chǎn)。

【3D TEM法在芯片失效分析中的創(chuàng)新】
3D TEM法通過連續(xù)切片與圖像重構(gòu)，實(shí)現(xiàn)芯片缺陷的三維可視化。將DB-FIB與TEM結(jié)合，應(yīng)用于熱點(diǎn)、孔洞、裂紋等立體缺陷分析。案例中，我們通過該方法成功定位某一先進(jìn)制程芯片的層間短路點(diǎn)，為客戶提供立體失效機(jī)制報(bào)告?！緩V電計(jì)量SEM/TEM測(cè)試服務(wù)】不僅提升分析深度，還縮短診斷周期，成為復(fù)雜故障排查的利器。

【產(chǎn)學(xué)研合作與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)貢獻(xiàn)】
積極與南京大學(xué)、上海交大等高校合作，聯(lián)合編寫《聚焦離子束：應(yīng)用與實(shí)踐》等專業(yè)著作，推動(dòng)FIB技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化與普及。參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，推動(dòng)設(shè)備與材料國產(chǎn)化，構(gòu)建自主可控的檢測(cè)生態(tài)?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】該合作不僅提升技術(shù)深度，還強(qiáng)化了在行業(yè)中的影響力與公信力。