凌源儀器/儀表信息
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石家莊愛斯ACE115℃低溫蒸汽滅菌生物指示劑價格
型號∶H6301 指標(biāo)菌∶枯草芽孢桿菌 菌片含菌量為5×105～5×106cfu/片。 D值（min）：見檢測報告用途∶用于115度低溫蒸汽滅菌效果的驗證。請在溫度2-25℃、相對濕度20-80%RH條件下避光保存。注意點 1.使用前確認(rèn)產(chǎn)品是否完整，是否在有效期內(nèi)，有效期2年。 2.生物指示劑應(yīng)避免靠近152022-04-02
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半導(dǎo)體芯片器件參數(shù)分析儀ivcv曲線測試機(jī)
SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益 打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體凌源面議2026-01-22 -
100pA-1A微電流數(shù)字源表
100pA-1A微電流數(shù)字源表特點： 同時精確提供和測量電壓和/或電流； 同步測量，減少測試時間 提供和測量非常廣的電流和電壓； 電壓可達(dá)300mV-300V,電流達(dá)100nA-1A 支持運(yùn)行用戶腳本程序，無需電腦控制，提高生產(chǎn)測試速度； 序列測試，簡凌源面議2026-01-15 -
替代2400/2450國產(chǎn)數(shù)字源表S300型
替代2400/2450國產(chǎn)數(shù)字源表S300型認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六，普賽斯S型數(shù)字源表使用直觀的觸摸屏控制和圖標(biāo)化操作界面，令新用戶通過簡單操作快速獲取測試結(jié)果，大大縮減學(xué)習(xí)儀器操作的時間，顯著提高工作效率，同時將更多時間用于科研領(lǐng)域的凌源面議2026-01-15 -
什么是SMU源表?SMU源表的功能和優(yōu)勢
SMU源表突出特點：使用一臺儀器進(jìn)行多種測量 ； SMU源表功能： ①集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身，廣泛用于各類精密器件的測量。 ②四象限工作，可作為源或負(fù)載 SMU源表相對傳統(tǒng)電源、萬用表的優(yōu)勢： 源表相對傳統(tǒng)電源的優(yōu)勢：傳統(tǒng)凌源面議2026-01-15 -
脈沖電流10A國產(chǎn)數(shù)字源表
脈沖電流10A國產(chǎn)數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，原廠直銷、服務(wù)完善！P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用凌源面議2026-01-15 -
1000A高電流脈沖電源
1000A高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。 設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)備可以獨立完成“凌源面議2026-01-15 -
光伏組件PID測試用源表
光伏組件PID測試所需主要儀器為： 步入式環(huán)境測試箱； 絕緣耐壓測試儀； 接地連續(xù)性測試儀； PID測試直流電壓源（數(shù)字源表）； HALM太陽模擬器（AAA+級）； EL測試儀等。 測試所需電源需求 電源電壓：-1500V～0V/ 0～+1500V 電源時漂：≤0.3%/h凌源面議2026-01-15 -
LDO電性能測試用數(shù)字源表
LDO常用的電性能參數(shù)測試，主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù)，因此一般情況下，測試系統(tǒng)至少需要配置2臺SMU，并采用上位機(jī)軟件(PssSMUTools)進(jìn)行控制。 普賽斯S系列高精度數(shù)字源表，凌源面議2026-01-15 -
半導(dǎo)體材料IV性能分析儀表
半導(dǎo)體材料IV性能分析儀表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯S型數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā)，廠家直銷！性價比高，測試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300V，支持USB存儲，一鍵導(dǎo)出報告，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時與客戶溝通，為客戶提供高性價比凌源面議2026-01-15 -
半導(dǎo)體芯片IV性能測試儀表
半導(dǎo)體芯片IV性能測試儀表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表S型數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā)，單通道，不支持脈沖輸出，觸摸屏操作，支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)；最大輸出電壓達(dá)300V，最小測試電流達(dá)100pA，支持USB存儲，一鍵導(dǎo)出凌源面議2026-01-15 -
射頻器件頻率特性測試SMU源表
GaNHEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。 頻率特性測試 射頻器件的頻率參數(shù)測試包含小信號S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測量。其中,S參數(shù)測試描述了RF器件在不同頻率下和對于信號的不同凌源面議2026-01-15 -
脈沖電流源LIV測試光纖激光器泵浦源
脈沖電流源LIV測試光纖激光器泵浦源認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六 liv脈沖電流源的簡述: 作用: 主要應(yīng)用于激光雷達(dá)的激光器測試 功能： 實現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測試 特點： （1）超窄脈沖大電流電流加電，能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的凌源面議2026-01-15 -
多通道源表之miniled芯片LIV測試
源表有一個簡單的定義，就是五表合一（電流源、電壓源、電流表、電壓表、電子負(fù)載），也就是源輸出+測量一體化，不同品牌及不同型號的源表都符合這個要求，只是差別在于輸出范圍、測量精度、速度、通道數(shù)不同。 對于早期應(yīng)用最為廣泛的2400源表，國內(nèi)早已推出對標(biāo)產(chǎn)凌源面議2026-01-15 -
高精度源表測試LED電性能
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過對LED電特性的測試，可以獲得對應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測試電流，或者加電流測試電壓凌源面議2026-01-15 -
國產(chǎn)脈沖源表IV測試憶阻器
國產(chǎn)脈沖源表IV測試憶阻器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工凌源面議2026-01-15 -
國產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
國產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic，集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測量 I-V特性曲線掃描，C-凌源面議2026-01-15 -
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點和優(yōu)勢： 單臺Z大3000V輸出； 單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 10us的超快電流上升沿； 同步測量； 國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試；詳詢一八一四零六六三四七六 普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測量和分凌源面議2026-01-15 -
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源 特點和優(yōu)勢： 10ms級的上升沿和下降沿； 單臺最大3000V的輸出； 同步電流測量； 替代2657高壓程控電源具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電凌源面議2026-01-15 -
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀集多種測量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準(zhǔn)測量等特點。支持高壓模式下測量凌源面議2026-01-15
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