總代直銷平板晶閘管5STP09D1601

品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

總代直銷平板晶閘管5STP09D1601

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。

晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)：陽(yáng)，陰和門；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管整流電路器件選擇：工頻整流是晶閘管元件常用的領(lǐng)域之一。元件選用主要考慮其額定電壓和額定電流。
1、晶閘管器件的正反向峰值電壓：應(yīng)為元件實(shí)際承受大峰值電壓UM的2-，即(2-3)。
2、晶閘管器件的額定通態(tài)電流：晶閘管的IT值指的是工頻正弦半波平均值，為使元件在工作過程中不因過熱損壞，流經(jīng)元件的實(shí)際有效值應(yīng)在乘以安全系數(shù)1.5-2后才能等于1.57IT。假設(shè)整流電路負(fù)載平均電流為Id，流經(jīng)每個(gè)器件的電流有效值為KId。

晶閘管導(dǎo)通的條件：
1、晶閘管陽(yáng)與陰間接正向電壓；
2、控制與陰之間也接正向電壓(實(shí)際工作中,控制加正觸發(fā)脈沖信號(hào))；
晶閘管導(dǎo)通后，控制便失去作用。依靠正反饋，晶閘管仍可維持導(dǎo)通狀態(tài)。
關(guān)斷晶閘管的方法：將陽(yáng)電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽(yáng)電壓、將陽(yáng)瞬間開路。
晶閘管的過電流保護(hù)：
1、過電流：當(dāng)流過晶閘管的電流有效值超過它的額定通態(tài)平 均電流的有效值時(shí)，稱為過電流；
2、原因：負(fù)載過重，輸出回路短路等；
3、過電流保護(hù)：當(dāng)發(fā)生過電流時(shí)，能迅速將電流切斷，以防晶閘管損壞；
4、措施：靈敏過電流繼電器保護(hù)、快速熔斷器保護(hù)等；
5、快速熔斷器 。

晶閘管的過電壓保護(hù) ：
1、過電壓：當(dāng)加在晶閘管上的電壓超過額定電壓時(shí)稱為過電壓。
2、原因：電源變壓器的一次側(cè)斷開或接通、直流側(cè)感性負(fù)載的 切斷、快速熔斷器的熔斷、突然跳閘等。
3、措施：
①、阻容保護(hù) ：吸收回路作用：一旦電路中發(fā)生過電壓，電容器被迅速充電，電容兩端的電壓不能突變，這就有效地抑制了過電壓。阻容吸收回路可以并聯(lián)在交流側(cè)、直流側(cè)或晶閘管側(cè)；
②、非線性電阻保護(hù)：目前常用的非線性電阻是金屬氧化物壓敏電阻，它具有正反向相同的很陡的電壓—電流特性；
電路正常工作時(shí)，壓敏電阻不擊穿，通過的漏電流很小。壓敏電阻在遇到過電壓時(shí)可通過高達(dá)數(shù)千安的放電電流，之后又恢復(fù)正常， 因此它抑制過電壓的能力很強(qiáng)；
由于壓敏電阻正反向特性對(duì)稱，單相電路中只用一只壓敏電阻，三相電路中用三只壓敏電阻。

晶閘管的使用注意事項(xiàng)：選用晶閘管的額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量；
1、選用可控硅的額定電流時(shí)，除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值；
2、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換；
3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況；
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱；
5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置；
6、要防止可控硅控制的正向過載和反向擊穿。