二手儀器價(jià)格SCR曲線(xiàn)圖示儀場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀
價(jià)格面議2023-06-18 12:00:26
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深圳市新耀德電子儀器有限公司
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磁性材料分析儀
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MOS-FET圖示儀,IGBT測(cè)試儀,場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,諧波功率分析儀
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曾廣文
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13430798991(廣東深圳)
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| 介子分析儀 | SY-8219 | 品牌 | Agilent/安捷倫 |
| 工作溫度 | 常溫 | 顯示方式 | 數(shù)字式 |
| 晶體管 | CS-3100 | 類(lèi)型 | 多參數(shù)測(cè)試儀 |
二手儀器價(jià)格SCR曲線(xiàn)圖示儀場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀
IWATSU B-H ANALYZER SY-8218 磁性材料特性測(cè)試分析儀二手,
IWATSU B-H ANALYZER SY-8218磁性材料分析、磁性材料特性測(cè)試分析儀SY-8219
用于超寬帶域的高頻材料分析
SY-8218: 10Hz ~ 10MHz
SY-8219: 10Hz ~ 1MHz
用途
軟磁性材料, 硅鋼片, 電感等
傳統(tǒng)汽車(chē)車(chē)載電子零部件
電器電子一般電器產(chǎn)品
電子零部件,組件
材料非金屬材料
適合于測(cè)試硅鋼片、鐵氧體、非晶體材料等軟磁性材料磁特性


產(chǎn)品特點(diǎn)
顯示屏: 8.4″ TFT LCD SVGA 800×600像素彩色顯示屏
寬測(cè)量頻率
SY-8218: 正弦波10Hz – 10MHz, 方波在占空比50:50時(shí)10Hz – 1MHz
SY-8219: 正弦波10Hz – 1MHz, 方波在占空比50:50時(shí)10Hz – 1MHz
16倍高速采集數(shù)據(jù) (與巖崎前B-H分析儀型號(hào)比較)
采集數(shù)據(jù)在8,192點(diǎn)/周期執(zhí)行精確參數(shù)測(cè)量, 如Hc (強(qiáng)制力), Br (殘余通量密度) 和其他參數(shù)
脈沖勵(lì)磁功能
正弦波與脈沖(在占空比50:50和1MHz時(shí)) 勵(lì)磁均為標(biāo)準(zhǔn)功能
數(shù)模轉(zhuǎn)換器: 16位 (8,192點(diǎn)/周期)
磁通密度信號(hào)檢測(cè): 感應(yīng)電壓檢測(cè)線(xiàn)圈兩端壓降法. 最大信號(hào)檢測(cè)電壓±200V
寬溫度范圍恒溫箱掃描系統(tǒng)提供汽車(chē)車(chē)輛標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q200等級(jí)0兼容, 作業(yè)溫度范圍 -55oC ~ +180oC, 4個(gè)樣品測(cè)試 (SY-330)
全自動(dòng)恒溫箱掃描系統(tǒng)提供作業(yè)溫度范圍-30°C ~ +150°C和最多20/41個(gè)樣品測(cè)試 (SY-320A/SY-321A)
DC – 3MH, 最大電壓 ±150V, 最大電流 ±6A雙極性功率放大器 (SY-5001)
DC – 3MHz, 最大電壓 ±75V, 最大電流 ±6A 雙極性功率放大器 (SY-5002)
DC – 10MHz, 最大電壓 ±71V, 最大電流 ±1A 雙極性功率放大器 (HSA4101-IW)
小型片狀樣品磁特性測(cè)試臺(tái)樣品尺吋要求 (SY-956)
樣品的長(zhǎng)度必須是36mm以上
樣品的寬度必須是35mm以下
樣品的厚度必須是3mm以下
最大DC偏置電流30A, 最大AC波紋電流±6A 直流疊加測(cè)試臺(tái) (SY-960/961/962)


測(cè)量頻率:10Hz 至 10MHz (SY-8218),10Hz 至 1MHz (SY-8219)
應(yīng)用波形:正弦波、方波(10Hz~1MHz)
最大輸入電流:±6A
最大輸入電壓:±200V
勵(lì)磁方法:自動(dòng)勵(lì)磁
(最大磁場(chǎng)、最大磁通密度、最大勵(lì)磁電流、最大感應(yīng)電壓指定)
乘以衰減交變磁場(chǎng),以免留下殘留磁化而減磁
規(guī)格
項(xiàng)目規(guī)格


半導(dǎo)體特性曲線(xiàn)圖示儀 CS-3100 CS3300 TEK370A Iwatsu (巖崎),
產(chǎn)品特點(diǎn)
顯示屏: 8.4″ 彩色TFT液晶顯示屏
正確測(cè)試半導(dǎo)體如IGBTs, MOSFETs, 晶體管和二極管的最佳解決方案
采用電路圖模式顯示內(nèi)部的配線(xiàn)狀態(tài) (CONFIGURATION), 更好地避免模塊測(cè)試時(shí)的誤操作(附圖)
WAVE模式: 能確認(rèn)實(shí)際印加電流和電壓波形的監(jiān)察模式 (附圖)
可以像示波器一樣通過(guò)觀察模塊上實(shí)際印加電流和電壓的波形來(lái)確定脈寬和實(shí)際測(cè)試點(diǎn) (Timing)
可通關(guān)確認(rèn)實(shí)際波形, 適時(shí)調(diào)整脈寬和測(cè)試點(diǎn)
避免示波器的探棒影響, 可確認(rèn)實(shí)時(shí)的異常信號(hào)
可非常容易地確認(rèn)模塊發(fā)熱等引起的振蕩等熱異常情況
可實(shí)現(xiàn)SiC和GaN等器件的電容測(cè)試 (選件CS-603A/CS-605A)
可實(shí)現(xiàn)晶圓和芯片上的電容測(cè)試 (探針臺(tái)和選件CS-603A/CS-605A)
標(biāo)配LAN和USB接口
產(chǎn)品功能
電子電力元件或器件測(cè)試波形特性的功能顯示 (附圖)
配備選件 CS-603A (3kV) 或 CS-605A (5kV), 可實(shí)現(xiàn)電子電力器件如SiC和GaN等的電容測(cè)試
在3kV (CS-603A)/5 kV (CS-605A) 作自動(dòng)與掃描電容測(cè)試
曲線(xiàn)圖示儀的測(cè)試適配器可用于各種器件封裝類(lèi)型
測(cè)試參數(shù)包括:
Cies, Ciss (輸入電容)
Coss (輸出電容)
Cres, Crss (反向傳輸電容)
Ct (端子間的電容)
Cgs, Cge/Cgd, Ccg/Cds, Cce (已計(jì)算)
Rg (柵極電阻)
可實(shí)行晶圓和芯片上的電容測(cè)試 (探針臺(tái)和選件CS-603A/CS-605A)
具有外部聯(lián)鎖功能的恒溫箱高低溫試驗(yàn)
與電腦全自動(dòng)化的完美結(jié)合
模塊或數(shù)個(gè)芯片, 器件自動(dòng)切換測(cè)試
可自動(dòng)控制加熱板, 全自動(dòng)進(jìn)行六合一模塊的溫度特性測(cè)量
測(cè)試結(jié)果窗口 (附圖)
波形比較功能: 可將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的不穩(wěn)定狀態(tài)或不良分析時(shí)測(cè)得的多個(gè)波形進(jìn)行同屏比較, 或通過(guò)波形比較來(lái)判斷是否合格 (附圖)
產(chǎn)品應(yīng)用
適用于高電壓或高電流功率器件 (如IGBT和功率MOSFET) 及半導(dǎo)體器件 (如晶體管, 二極管和 LED) 的特性測(cè)試
電力電子器件 (如 SiC和GaN) 的電容測(cè)量 (選件CS-603A/CS-605A)
可實(shí)行晶圓和芯片上的電容測(cè)試 (探針臺(tái)和選件CS-603A/CS-605A)
靜態(tài)特性測(cè)試包括漏電流, 飽和電壓, VF和Vth (附圖)
傳輸特性 (Vge-Ic/Vge-Vce) 和電路模塊的測(cè)試功能
器件測(cè)試
可以在短時(shí)間內(nèi)執(zhí)行多個(gè)器件的測(cè)試和記錄. 操作員只需根據(jù)器件替換和連接更改來(lái)輸入樣本名稱(chēng), 以重復(fù)相同的測(cè)試. 在既定條件下判斷 (通過(guò)/失敗) 將顯示每個(gè)測(cè)試與圖像和波形數(shù)據(jù)也將自動(dòng)存儲(chǔ)(附圖)
半導(dǎo)體溫度特性測(cè)試評(píng)估
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曾碧新
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