MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2104J563,TDK新能源汽車電容
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北京友盛興業(yè)科技有限公司
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TDK突波吸收電容
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2104J563, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656G2224J000,薄膜電容器B32656S7474J565, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S8155K566
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MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656S2104J563,TDK新能源汽車電容
TDK 薄膜電容器:額定電壓更高的堅固耐用型Y2電容器
TDK公司推出一系列應(yīng)用于EMI抑制的新型愛普科斯 (EPCOS) MKP（金屬化聚丙烯）Y2薄膜電容器——B3203*系列電容器。與額定電壓為300 V AC的傳統(tǒng)型號相比，新型電容器的額定工作電壓高達350VAC，電容值范圍為4.7nF至1.2μF，可在嚴(yán)苛環(huán)境條件下確保穩(wěn)定的電容值。新型電容器均通過IEC 60384-14:2013/AMD1:2016認(rèn)證，并按照“高濕度條件下III 級耐久性測試B”分類。這些電容器在溫度為85℃，相對濕度為85％，工作電壓為350V AC的環(huán)境條件下進行了溫度、濕度、偏置電壓 (THB) 測試，結(jié)果表明其電容量下降量不超過10％。新型電容器的最高工作溫度為110℃。
新型電容器獲得UL和EN認(rèn)證，且符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。不同型號的電容器的引腳間距會有不同，分別為15mm (B32032*)、22.5mm (B32033*)、27.5mm (B32034*)或37.5mm (B32036*)，具體視電容值而定。電容器的外殼和環(huán)氧樹脂密封的阻燃等級符合UL94 V-0標(biāo)準(zhǔn)的要求。
新型Y2電容器可用于頻繁遭受惡劣環(huán)境影響和額定電壓要求更高的濾波器（如光伏逆變器或車載濾波器），用于抑制電磁干擾。
主要應(yīng)用
惡劣環(huán)境條件下（如光伏逆變器或車載濾波器）的電磁干擾抑制應(yīng)用
主要特點和效益
額定電壓增大至350VAC
寬泛的電容值范圍：4.7nF到1.2μF
通過UL和EN認(rèn)證
哪些外在因素會影響到薄膜電容器的性能
影響薄膜電容器的常見原因
一、使用中出問題的原因
1.運行電壓過高引起移相電容器過早淘汰，電容器的功率損耗和發(fā)熱量都和運行電壓的平方成正比，運行電壓的升高，使電容器溫度顯著增加，另外在長期電場的作用下，會加速電容器絕緣的老化
2.操作過電壓引起電容器的損壞，切斷并聯(lián)電容器組時，可能引起電感一電容回路的振蕩過程。從而產(chǎn)生操作過電壓，切斷過程中，如果斷路器發(fā)生電弧重燃，將引起強烈的電磁振蕩，出現(xiàn)更高的過電壓值。這一過電壓的幅值，與被切電容和母線側(cè)電容的大小有關(guān)，也與電弧重燃時觸頭間的電位差有關(guān)。
3.帶電荷合閘引起電容器的爆破，任何額定電壓的電容器組，均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘，必須于開關(guān)斷開電容器放電3min后進行。
二、運行溫度過高造成移相電容器的損壞
1.環(huán)境溫度過高，目前YY型及YL型移相電容器周圍空氣溫度系按一25-40C設(shè)計。環(huán)境溫度不超過40‘C的要求，在我國許多地區(qū)難以滿足。因此，新型的低壓無功補償裝置，其周圍空氣溫度系按一30-55C設(shè)計。
2.戶外式電容器日光直接照射，移相電容器露天裝設(shè)于變電站或配電線路上時，由于日光直接照射下，由于超溫運行原因。年損壞率很高，有的可達10%左右。尤以裝于戶外鐵質(zhì)配電箱中，散熱不良，夏季損壞率特別高。另外在酷熱天氣突然下暴雨時，也會集中造成損壞。
3.通風(fēng)散熱不足
三、網(wǎng)絡(luò)離次諧波的影響
1.使電容器組的運行電流和輸出無功功率，大幅度地超過額定值。
2.當(dāng)電源電壓波形中某次諧波頻率。接近于網(wǎng)絡(luò)的自然頻率時，可能產(chǎn)生諧波共振過電壓
四、開關(guān)設(shè)備性能的影晌
電容器在被切除時，如果開關(guān)不重燃、開斷時不會產(chǎn)生過電壓。也不會產(chǎn)生過電流。提高開關(guān)投切電容電流的能力是減少事故和延長電容器使用壽命的一個重要方面。
影響薄膜電容器容量大小的原因
薄膜電容器的容量大小取決于薄膜金屬層面積的大小，所以容量的下降主要就是金屬鍍層受外界因素影響，面積減少而產(chǎn)生的。在電容器制作過程中，膜層之間存在微量的空氣，且較難完全消除。電容器工作時，空氣在電場作用下，有可能被電離?？諝怆婋x后產(chǎn)生臭氧，臭氧是一種不穩(wěn)定的氣體，常溫下自行分解為氧，是一種強氧化劑，低濃度下可瞬間完成氧化作用。金屬化薄膜的金屬鍍層（成份為Zn/Al）遇到臭氧分解的氧后立即氧化，生成透明不導(dǎo)電的金屬氧化物ZnO和Al2O3，實際表現(xiàn)為板面積減小，電容器容量下降。因此消除或減少膜層間的空氣，可以減緩電容量衰減。當(dāng)膜層間的空氣被外界水份侵入時，空氣的擊穿電位會降低，加快空氣電離，產(chǎn)生大量的臭氧，氧化金屬化薄膜的金屬鍍層，電容器的容量會迅速下降。
TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器
TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。
該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計，與以往產(chǎn)品相比達到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。
2）確認(rèn)收貨前請仔細核驗產(chǎn)品質(zhì)量，避免出現(xiàn)以次充好的情況。
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