博望區(qū)儀器/儀表信息
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LK-E1101,四川,紅外款排球測(cè)試儀
可自動(dòng)測(cè)試一分鐘對(duì)空排球的次數(shù),可反映人體的腹部肌群力量。 測(cè)試感應(yīng)桿可隨受測(cè)者身高來進(jìn)行前后調(diào)節(jié),達(dá)到測(cè)試動(dòng)作標(biāo)準(zhǔn)化管理。 測(cè)試感應(yīng)探頭采用抗干擾傳感器,具有抗陽光干擾設(shè)計(jì),提高測(cè)試準(zhǔn)確度與靈敏度。 采用LED斷碼屏幕顯示測(cè)試成績(jī)。 主要技術(shù)參數(shù): 測(cè)量范圍:180002025-07-16
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半導(dǎo)體芯片器件參數(shù)分析儀ivcv曲線測(cè)試機(jī)
SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益 打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體博望區(qū)面議2026-01-22 -
100pA-1A微電流數(shù)字源表
100pA-1A微電流數(shù)字源表特點(diǎn): 同時(shí)精確提供和測(cè)量電壓和/或電流; 同步測(cè)量,減少測(cè)試時(shí)間 提供和測(cè)量非常廣的電流和電壓; 電壓可達(dá)300mV-300V,電流達(dá)100nA-1A 支持運(yùn)行用戶腳本程序,無需電腦控制,提高生產(chǎn)測(cè)試速度; 序列測(cè)試,簡(jiǎn)博望區(qū)面議2026-01-15 -
替代2400/2450國產(chǎn)數(shù)字源表S300型
替代2400/2450國產(chǎn)數(shù)字源表S300型認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六,普賽斯S型數(shù)字源表使用直觀的觸摸屏控制和圖標(biāo)化操作界面,令新用戶通過簡(jiǎn)單操作快速獲取測(cè)試結(jié)果,大大縮減學(xué)習(xí)儀器操作的時(shí)間,顯著提高工作效率,同時(shí)將更多時(shí)間用于科研領(lǐng)域的博望區(qū)面議2026-01-15 -
什么是SMU源表?SMU源表的功能和優(yōu)勢(shì)
SMU源表突出特點(diǎn):使用一臺(tái)儀器進(jìn)行多種測(cè)量 ; SMU源表功能: ①集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身,廣泛用于各類精密器件的測(cè)量。 ②四象限工作,可作為源或負(fù)載 SMU源表相對(duì)傳統(tǒng)電源、萬用表的優(yōu)勢(shì): 源表相對(duì)傳統(tǒng)電源的優(yōu)勢(shì):傳統(tǒng)博望區(qū)面議2026-01-15 -
脈沖電流10A國產(chǎn)數(shù)字源表
脈沖電流10A國產(chǎn)數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,原廠直銷、服務(wù)完善!P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用博望區(qū)面議2026-01-15 -
1000A高電流脈沖電源
1000A高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“博望區(qū)面議2026-01-15 -
光伏組件PID測(cè)試用源表
光伏組件PID測(cè)試所需主要儀器為: 步入式環(huán)境測(cè)試箱; 絕緣耐壓測(cè)試儀; 接地連續(xù)性測(cè)試儀; PID測(cè)試直流電壓源(數(shù)字源表); HALM太陽模擬器(AAA+級(jí)); EL測(cè)試儀等。 測(cè)試所需電源需求 電源電壓:-1500V~0V/ 0~+1500V 電源時(shí)漂:≤0.3%/h博望區(qū)面議2026-01-15 -
LDO電性能測(cè)試用數(shù)字源表
LDO常用的電性能參數(shù)測(cè)試,主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測(cè)試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù),因此一般情況下,測(cè)試系統(tǒng)至少需要配置2臺(tái)SMU,并采用上位機(jī)軟件(PssSMUTools)進(jìn)行控制。 普賽斯S系列高精度數(shù)字源表,博望區(qū)面議2026-01-15 -
半導(dǎo)體材料IV性能分析儀表
半導(dǎo)體材料IV性能分析儀表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯S型數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),廠家直銷!性價(jià)比高,測(cè)試范圍更廣,輸出電壓高達(dá)300V,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出報(bào)告,符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求,可及時(shí)與客戶溝通,為客戶提供高性價(jià)比博望區(qū)面議2026-01-15 -
半導(dǎo)體芯片IV性能測(cè)試儀表
半導(dǎo)體芯片IV性能測(cè)試儀表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯儀表S型數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),單通道,不支持脈沖輸出,觸摸屏操作,支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng);最大輸出電壓達(dá)300V,最小測(cè)試電流達(dá)100pA,支持USB存儲(chǔ),一鍵導(dǎo)出博望區(qū)面議2026-01-15 -
射頻器件頻率特性測(cè)試SMU源表
GaNHEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。 頻率特性測(cè)試 射頻器件的頻率參數(shù)測(cè)試包含小信號(hào)S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測(cè)量。其中,S參數(shù)測(cè)試描述了RF器件在不同頻率下和對(duì)于信號(hào)的不同博望區(qū)面議2026-01-15 -
脈沖電流源LIV測(cè)試光纖激光器泵浦源
脈沖電流源LIV測(cè)試光纖激光器泵浦源認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 liv脈沖電流源的簡(jiǎn)述: 作用: 主要應(yīng)用于激光雷達(dá)的激光器測(cè)試 功能: 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn): (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的博望區(qū)面議2026-01-15 -
多通道源表之miniled芯片LIV測(cè)試
源表有一個(gè)簡(jiǎn)單的定義,就是五表合一(電流源、電壓源、電流表、電壓表、電子負(fù)載),也就是源輸出+測(cè)量一體化,不同品牌及不同型號(hào)的源表都符合這個(gè)要求,只是差別在于輸出范圍、測(cè)量精度、速度、通道數(shù)不同。 對(duì)于早期應(yīng)用最為廣泛的2400源表,國內(nèi)早已推出對(duì)標(biāo)產(chǎn)博望區(qū)面議2026-01-15 -
高精度源表測(cè)試LED電性能
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過對(duì)LED電特性的測(cè)試,可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流(Ir)等參數(shù),以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測(cè)試電流,或者加電流測(cè)試電壓博望區(qū)面議2026-01-15 -
國產(chǎn)脈沖源表IV測(cè)試憶阻器
國產(chǎn)脈沖源表IV測(cè)試憶阻器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工博望區(qū)面議2026-01-15 -
國產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
國產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測(cè)項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic,集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges,柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測(cè)量 I-V特性曲線掃描,C-博望區(qū)面議2026-01-15 -
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì): 單臺(tái)Z大3000V輸出; 單臺(tái)Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A; 10us的超快電流上升沿; 同步測(cè)量; 國標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試;詳詢一八一四零六六三四七六 普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測(cè)量和分博望區(qū)面議2026-01-15 -
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì): 10ms級(jí)的上升沿和下降沿; 單臺(tái)最大3000V的輸出; 同步電流測(cè)量; 替代2657高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量電博望區(qū)面議2026-01-15 -
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量博望區(qū)面議2026-01-15
排行8博望區(qū)儀器/儀表 頻道為您提供2026最新博望區(qū)儀器/儀表信息,在此有大量博望區(qū)儀器/儀表報(bào)價(jià)/圖片/價(jià)格信息供您選擇,您可以免費(fèi)查看和發(fā)布儀器/儀表服務(wù)信息。
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