霞山儀器/儀表信息
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江蘇省排球測(cè)試儀中考體育測(cè)試儀
紅外款中考體育寬距離雙側(cè)紅外探頭自動(dòng)感應(yīng)排球的上下軌跡并計(jì)算出有效個(gè)數(shù)，樂(lè)康中考體育測(cè)試儀器排球墊球計(jì)數(shù)器主機(jī)《標(biāo)配》音頻接口可以外接音響進(jìn)行擴(kuò)音；主機(jī)有充電指示燈和U盤(pán)插入指示燈功能；主機(jī)具有≥2個(gè)USB接口；主機(jī)《標(biāo)配》內(nèi)置成像式二維碼和條形碼掃碼器（可快180002025-06-29
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半導(dǎo)體芯片器件參數(shù)分析儀ivcv曲線測(cè)試機(jī)
SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益 打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體霞山面議2026-01-22 -
100pA-1A微電流數(shù)字源表
100pA-1A微電流數(shù)字源表特點(diǎn)： 同時(shí)精確提供和測(cè)量電壓和/或電流； 同步測(cè)量，減少測(cè)試時(shí)間 提供和測(cè)量非常廣的電流和電壓； 電壓可達(dá)300mV-300V,電流達(dá)100nA-1A 支持運(yùn)行用戶腳本程序，無(wú)需電腦控制，提高生產(chǎn)測(cè)試速度； 序列測(cè)試，簡(jiǎn)霞山面議2026-01-15 -
替代2400/2450國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表S300型
替代2400/2450國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表S300型認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六，普賽斯S型數(shù)字源表使用直觀的觸摸屏控制和圖標(biāo)化操作界面，令新用戶通過(guò)簡(jiǎn)單操作快速獲取測(cè)試結(jié)果，大大縮減學(xué)習(xí)儀器操作的時(shí)間，顯著提高工作效率，同時(shí)將更多時(shí)間用于科研領(lǐng)域的霞山面議2026-01-15 -
什么是SMU源表?SMU源表的功能和優(yōu)勢(shì)
SMU源表突出特點(diǎn)：使用一臺(tái)儀器進(jìn)行多種測(cè)量 ； SMU源表功能： ①集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身，廣泛用于各類精密器件的測(cè)量。 ②四象限工作，可作為源或負(fù)載 SMU源表相對(duì)傳統(tǒng)電源、萬(wàn)用表的優(yōu)勢(shì)： 源表相對(duì)傳統(tǒng)電源的優(yōu)勢(shì)：傳統(tǒng)霞山面議2026-01-15 -
脈沖電流10A國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表
脈沖電流10A國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，原廠直銷、服務(wù)完善！P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用霞山面議2026-01-15 -
1000A高電流脈沖電源
1000A高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“霞山面議2026-01-15 -
光伏組件PID測(cè)試用源表
光伏組件PID測(cè)試所需主要儀器為： 步入式環(huán)境測(cè)試箱； 絕緣耐壓測(cè)試儀； 接地連續(xù)性測(cè)試儀； PID測(cè)試直流電壓源（數(shù)字源表）； HALM太陽(yáng)模擬器（AAA+級(jí)）； EL測(cè)試儀等。 測(cè)試所需電源需求 電源電壓：-1500V～0V/ 0～+1500V 電源時(shí)漂：≤0.3%/h霞山面議2026-01-15 -
LDO電性能測(cè)試用數(shù)字源表
LDO常用的電性能參數(shù)測(cè)試，主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負(fù)載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測(cè)試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù)，因此一般情況下，測(cè)試系統(tǒng)至少需要配置2臺(tái)SMU，并采用上位機(jī)軟件(PssSMUTools)進(jìn)行控制。 普賽斯S系列高精度數(shù)字源表，霞山面議2026-01-15 -
半導(dǎo)體材料IV性能分析儀表
半導(dǎo)體材料IV性能分析儀表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯S型數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，廠家直銷！性價(jià)比高，測(cè)試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300V，支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出報(bào)告，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比霞山面議2026-01-15 -
半導(dǎo)體芯片IV性能測(cè)試儀表
半導(dǎo)體芯片IV性能測(cè)試儀表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表S型數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，單通道，不支持脈沖輸出，觸摸屏操作，支持多種通訊方式，RS-232、GPIB及以太網(wǎng)；最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流達(dá)100pA，支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出霞山面議2026-01-15 -
射頻器件頻率特性測(cè)試SMU源表
GaNHEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。 頻率特性測(cè)試 射頻器件的頻率參數(shù)測(cè)試包含小信號(hào)S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測(cè)量。其中,S參數(shù)測(cè)試描述了RF器件在不同頻率下和對(duì)于信號(hào)的不同霞山面議2026-01-15 -
脈沖電流源LIV測(cè)試光纖激光器泵浦源
脈沖電流源LIV測(cè)試光纖激光器泵浦源認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六 liv脈沖電流源的簡(jiǎn)述: 作用: 主要應(yīng)用于激光雷達(dá)的激光器測(cè)試 功能： 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn)： （1）超窄脈沖大電流電流加電，能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的霞山面議2026-01-15 -
多通道源表之miniled芯片LIV測(cè)試
源表有一個(gè)簡(jiǎn)單的定義，就是五表合一（電流源、電壓源、電流表、電壓表、電子負(fù)載），也就是源輸出+測(cè)量一體化，不同品牌及不同型號(hào)的源表都符合這個(gè)要求，只是差別在于輸出范圍、測(cè)量精度、速度、通道數(shù)不同。 對(duì)于早期應(yīng)用最為廣泛的2400源表，國(guó)內(nèi)早已推出對(duì)標(biāo)產(chǎn)霞山面議2026-01-15 -
高精度源表測(cè)試LED電性能
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測(cè)試電流，或者加電流測(cè)試電壓霞山面議2026-01-15 -
國(guó)產(chǎn)脈沖源表IV測(cè)試憶阻器
國(guó)產(chǎn)脈沖源表IV測(cè)試憶阻器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工霞山面議2026-01-15 -
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測(cè)項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic，集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測(cè)量 I-V特性曲線掃描，C-霞山面議2026-01-15 -
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 單臺(tái)Z大3000V輸出； 單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 10us的超快電流上升沿； 同步測(cè)量； 國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六 普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測(cè)量和分霞山面議2026-01-15 -
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 10ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3000V的輸出； 同步電流測(cè)量； 替代2657高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電霞山面議2026-01-15 -
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量霞山面議2026-01-15
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