IGBT封裝形式

目前IGBT主要有以下幾種封裝形式： 一是TO標(biāo)準(zhǔn)塑封模塊結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，成本也較低，主要是單芯片或一個(gè)IGBT何一個(gè)二極管等 兩種形式，但是這種封裝形式的熱循環(huán)壽命有限。 二是工業(yè)/汽車(chē)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊結(jié)構(gòu)，目前來(lái)看，只要功率高于幾個(gè)千瓦以上，都會(huì)采用這種模塊 封裝的形式，其特色是散熱好，功率循環(huán)和熱循環(huán)壽命相對(duì)不錯(cuò)，且工藝相比其他形式更為成熟， 成本相對(duì)適中。 三是壓接式IGBT，這種封裝方式?jīng)]有焊層、引線(xiàn)鍵合，它最大的特色是功率容量大，擁有更高的安 全工作區(qū)（SOA），且具有失效短路特性，適用于串聯(lián)應(yīng)用、可以承受較高電壓，但是工藝較為復(fù) 雜，成本較高。