性能可靠晶閘管廠家5STP09D2001

品牌	ABB	封裝外形	平板形
極數(shù)	二極

性能可靠晶閘管廠家5STP09D2001

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。

可控硅有多種分類方法：
1、按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種；
2、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；
3、按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅；
6、過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導通可控硅；
7、非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導通角（角相位），來改變輸出百分比。

晶閘管的種類：
1、按關(guān)斷、導通及控制方式分類：晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、門關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種；
2、按引腳和性分類：晶閘管按其引腳和性可分為二晶閘管、三晶閘管和四晶閘管；
3、按封裝形式分類：晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種；
4、按電流容量分類：晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝；
5、按關(guān)斷速度分類：晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和（快速）晶閘管。

晶閘管可工作的大頻率由其工作時的電流脈沖寬度，關(guān)斷時間以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時間決定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根據(jù)工作頻率選取元件時必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時間間隔tH>tq，并留有一定的裕量。隨著工作頻率的升高，元件正向損耗和反向恢復損耗隨之升高，元件通態(tài)電流須降額使用。

晶閘管的過電壓保護 ：
1、過電壓：當加在晶閘管上的電壓超過額定電壓時稱為過電壓。
2、原因：電源變壓器的一次側(cè)斷開或接通、直流側(cè)感性負載的 切斷、快速熔斷器的熔斷、突然跳閘等。
3、措施：
①、阻容保護 ：吸收回路作用：一旦電路中發(fā)生過電壓，電容器被迅速充電，電容兩端的電壓不能突變，這就有效地抑制了過電壓。阻容吸收回路可以并聯(lián)在交流側(cè)、直流側(cè)或晶閘管側(cè)；
②、非線性電阻保護：目前常用的非線性電阻是金屬氧化物壓敏電阻，它具有正反向相同的很陡的電壓—電流特性；
電路正常工作時，壓敏電阻不擊穿，通過的漏電流很小。壓敏電阻在遇到過電壓時可通過高達數(shù)千安的放電電流，之后又恢復正常， 因此它抑制過電壓的能力很強；
由于壓敏電阻正反向特性對稱，單相電路中只用一只壓敏電阻，三相電路中用三只壓敏電阻。

可控硅開關(guān)可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，故稱可控硅，它是一種大功率開關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。