全武漢儀器/儀表信息
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SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸? 實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電面議2026-02-25 -
電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源
普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)面議2026-02-25 -
電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源
普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源，產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡（10μs）、測(cè)試效率高（40ms，外部控制繼電器）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。單臺(tái)輸出電流300A，支持至少六臺(tái)以上多設(shè)備并聯(lián)測(cè)量。設(shè)備主要針對(duì)晶圓測(cè)試，可用于300A面議2026-02-25 -
IC電氣特性測(cè)試數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2026-02-25 -
GaN SiC三代半功率器件測(cè)試設(shè)備
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬面議2026-02-25 -
柔性傳感器電性能測(cè)試VI源表
普賽斯儀表攜手業(yè)內(nèi)知名廠商共同打造的柔性電子材料測(cè)試系統(tǒng),通過(guò)組合不同動(dòng)作的測(cè)試夾具,可以模擬扭、轉(zhuǎn)、彎、折、卷等5種基本測(cè)試動(dòng)作, 11個(gè)基礎(chǔ)模擬測(cè)試動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用,讓柔性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)化。不僅可以測(cè)試柔性材料的折、彎、扭、拉、卷等五種基本動(dòng)作,而且可以進(jìn)行柔性材面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占面議2026-02-25 -
IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表
IC芯片電特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性?xún)r(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2651面議2026-02-25 -
wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀
SPA-6100wat半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試設(shè)備_晶圓片檢測(cè)儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材面議2026-02-25 -
晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表
武漢普賽斯儀表晶圓/芯片微弱電流測(cè)試VI源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性?xún)r(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作S系列源表 應(yīng)用 分立器件特性測(cè)試：電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、面議2026-02-25 -
igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備
普賽斯igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢(xún)18140663476 測(cè)試項(xiàng)目 集面議2026-02-25 -
脈沖IV特性測(cè)試數(shù)字源表
PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者面議2026-02-25 -
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線(xiàn)掃描儀
晶體管特性圖示儀iv+cv曲線(xiàn)掃描儀優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試；詳詢(xún)一八一四零六六三四七六； 產(chǎn)品特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可面議2026-02-25 -
國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線(xiàn)掃描儀
國(guó)產(chǎn)SMU數(shù)字源表高精密IV曲線(xiàn)掃描儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，普賽斯S系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，U秀的性?xún)r(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六 數(shù)字源表基本功能 集多種功能為一體的精密測(cè)量?jī)x器，主要是測(cè)量電氣性能 SMU可以當(dāng)電源,面議2026-02-25 -
大功率分立器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)分析儀
普賽斯分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)面議2026-02-25 -
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表
雙極性電源數(shù)字源表直流3A精密源表優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線(xiàn)制和四線(xiàn)制測(cè)量面議2026-02-25 -
高精度國(guó)產(chǎn)DP300B型雙通道數(shù)字源表
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DPX00B雙通道高精度臺(tái)式脈沖源表是在單通道脈沖臺(tái)式源表基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，單通道最大輸出電壓達(dá)300V，最大脈沖輸出電流達(dá)30A，支持四象限工作，2個(gè)通道可獨(dú)立或組合工作。 DPX00B雙面議2026-02-25 -
led漏電流測(cè)試高精度源表
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動(dòng)下才能正常工作。其電壓-電流之間的關(guān)系稱(chēng)為I-V特性。通過(guò)對(duì)LED電特性的測(cè)試，可以獲得對(duì)應(yīng)正向電壓（Vf）、反向電壓（Vr）及漏電流（Ir）等參數(shù)，以及相應(yīng)的I-V曲線(xiàn)。常用的測(cè)試方法一般為在LED器件的兩端，加電壓測(cè)試電流，或者加電流測(cè)試電壓面議2026-02-25 -
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁面議2026-02-25 -
KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源
E系列KV級(jí)高壓電源3500V高壓程控電源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 十ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3500V的輸出； 0.1%測(cè)試精度； 同步電流或電壓測(cè)量； 支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試； 應(yīng)用領(lǐng)域： 用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線(xiàn)電容充面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀
半導(dǎo)體器件IV+CV測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：面議2026-02-25 -
led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備
led&二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降面議2026-02-25 -
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表
寬禁帶材料電性能分析數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；普賽斯S系列、P系列源表標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集，Y秀的性?xún)r(jià)比，良好的售后服務(wù)與技術(shù)支持，普賽斯儀表是手家國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品已經(jīng)歷3年迭代完善，對(duì)標(biāo)2400、2450、2611、2601B、2面議2026-02-25 -
二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備
二極管&led反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六； 二極管&面議2026-02-25 -
硅基and碳化硅特性曲線(xiàn)測(cè)試設(shè)備
硅基and碳化硅特性曲線(xiàn)測(cè)試設(shè)備優(yōu)勢(shì) 高電壓、大電流 具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(最大可擴(kuò)展至10kV) 具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián)) 高精度測(cè)量 nA級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 0.1%精度測(cè)量 模塊化配置面議2026-02-25 -
uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源
uApA級(jí)國(guó)產(chǎn)電流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?；詳詢(xún)一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、面議2026-02-25 -
國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì)
國(guó)產(chǎn)S系列數(shù)字源表有哪些優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋3pA-3A的電流范圍100μV-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線(xiàn)制和四線(xiàn)制測(cè)量，更準(zhǔn)確的面議2026-02-25 -
大電流脈沖源表100A直流源表
HCP系列大電流脈沖源表100A直流源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用面議2026-02-25 -
光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表
光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電面議2026-02-25 -
光電二極管性能測(cè)試精密源表
光電探測(cè)器光電測(cè)試 光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線(xiàn)儀
半導(dǎo)體器件測(cè)試儀IV曲線(xiàn)儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢(xún)18140663476；普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案? S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、多功能面議2026-02-25 -
精密電流源直流源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2026-02-25 -
功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備
普賽斯功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率器件測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 單臺(tái)Z大3500V輸出； 單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 15us的超快電流上升沿； 同步測(cè)量； 國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試； 可定制夾具； nA級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量； 測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線(xiàn)掃描儀器
眾所周知，半導(dǎo)體芯片測(cè)試設(shè)備IV曲線(xiàn)掃描儀器應(yīng)用的專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域十分廣泛，分別有：微電子、集成電路、物理與電子工程、航空航天、材料科學(xué)與工程、材料與能源、電子科學(xué)與工程、光電信息與能源工程等等等... 數(shù)字源表作為電學(xué)測(cè)量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾面議2026-02-25 -
電參數(shù)測(cè)量多合一數(shù)字源表
分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測(cè)面議2026-02-25 -
igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀
普賽斯igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如面議2026-02-25
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