全武漢儀器/儀表信息
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pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，pA級(jí)微電流數(shù)字源表IV測(cè)試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 源表特點(diǎn)： 多面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備參數(shù)分析源表
半導(dǎo)體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導(dǎo)體元器件，用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中，是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)化控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣面議2026-02-25 -
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源
電流階躍測(cè)試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)面議2026-02-25 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用 ?納米材面議2026-02-25 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢(shì)： 1、多功能面議2026-02-25 -
功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀
普賽斯功率模塊igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如面議2026-02-25 -
壓力傳感器測(cè)試儀
通常，壓力傳感器Ⅳ特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。而且，使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表
半導(dǎo)體器件電性能測(cè)試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，對(duì)標(biāo)美國(guó)2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率；支持四象限工作，測(cè)量范圍廣，電壓高至300V，電流低至10pA；支持USB存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告；5寸觸摸顯示屏面議2026-02-25 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過對(duì)半導(dǎo)體高面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體性能檢測(cè)設(shè)備iv曲線測(cè)試儀
實(shí)施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍、率先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體。可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其面議2026-02-25 -
電化學(xué)實(shí)驗(yàn)循環(huán)伏安測(cè)試儀
電化學(xué)電池的三個(gè)電極是工作電極 (WE)、基準(zhǔn)電極 (RE) 和反（或輔助）電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進(jìn)行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測(cè)量，然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS，使E為希望的電位值，這時(shí)使用萬用表測(cè)量流入WE的電流I。之后面議2026-02-25 -
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀3500V/1000A，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀+功率器件測(cè)試設(shè)備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2026-02-25 -
低壓型數(shù)字源表
數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導(dǎo)體器件特性測(cè)試中，省錢省地，節(jié)約測(cè)試臺(tái)空間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大動(dòng)態(tài)測(cè)試范圍，集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能于一體，普賽斯源表相對(duì)于進(jìn)口源表，測(cè)試范圍更廣，價(jià)格更便宜！最大輸出電壓達(dá)300V，最小測(cè)試電流達(dá)100pA，支持四象限工作；SXXB系列面議2026-02-25 -
直流3A半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過多測(cè)試臺(tái)的空間；實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀
半導(dǎo)體IV特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡摺⑵骷y(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具，接線簡(jiǎn)單、方便操作。 利用數(shù)字源表簡(jiǎn)化半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備高電壓+大電流
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。 利用數(shù)面議2026-02-25 -
場(chǎng)效應(yīng)MOS管特性曲線測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。 輸入/輸出特性測(cè)試 針對(duì)1A以下的MOSFET器件，推薦2臺(tái)S系 列源表搭建測(cè)試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測(cè)試的需求。 針對(duì)Z大電流為面議2026-02-25 -
三極管反向擊穿電壓測(cè)試SMU數(shù)字源表
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術(shù)參數(shù)也不同，針對(duì)1A以面議2026-02-25 -
二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試國(guó)產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等面議2026-02-25 -
PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)
普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測(cè)試及老化系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、面議2026-02-25 -
數(shù)字源表如何選型
目前市場(chǎng)上數(shù)字源表琳瑯滿目，如何選擇適合自己、或性價(jià)比高的源表成為眾多買家比較頭疼的問題，其實(shí)只要了解到以下參數(shù)，就不難選型了： 1、源的輸出范圍 2、通道數(shù) 3、是否支持脈沖輸出 4、測(cè)量的精度 5、測(cè)量的速度（采樣率）等 確定了以上參數(shù)后，就面議2026-02-25 -
數(shù)字源表測(cè)試柔性電子材料
柔性電子又稱為塑料電子、印刷電子、有機(jī)電子、聚合體電子等，將有機(jī)或者無機(jī)材料電子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金屬基板上的新興電子技術(shù)。由于FPC柔性線路板及電子系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)彎曲、折疊、延展，且功能不會(huì)因此而受到影響，其獨(dú)特的柔性和延展性使得柔性電子在信息、面議2026-02-25 -
數(shù)字源表測(cè)LDO芯片電性能
LDO，全稱為“Low Dropout Regulator”，是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為，使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器，LDO具有成本低，噪音低，靜態(tài)電流小的特點(diǎn)，需面議2026-02-25 -
數(shù)字源表測(cè)電阻率四探針法
電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量，某種材料制成的長(zhǎng)為1米，橫截面積為1平方米的導(dǎo)體的電阻，在數(shù)值上等于這種材料的電阻率。它反映物質(zhì)對(duì)電流阻礙作用的屬性，它與物質(zhì)的種類有關(guān)，還受溫度、濕度等因素的影響。在實(shí)際中我們可能需要測(cè)試一些薄而平的材料的電阻率面議2026-02-25 -
高電流脈沖電源測(cè)試電流傳感器響應(yīng)時(shí)間
高電流脈沖電源測(cè)試電流傳感器響應(yīng)時(shí)間認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六 ；高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特面議2026-02-25 -
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量面議2026-02-25 -
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 10ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3000V的輸出； 同步電流測(cè)量； 替代2657高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電面議2026-02-25 -
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 單臺(tái)Z大3000V輸出； 單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 10us的超快電流上升沿； 同步測(cè)量； 國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六 普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測(cè)量和分面議2026-02-25 -
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測(cè)項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic，集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測(cè)量 I-V特性曲線掃描，C-面議2026-02-25 -
國(guó)產(chǎn)脈沖源表IV測(cè)試憶阻器
國(guó)產(chǎn)脈沖源表IV測(cè)試憶阻器認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工面議2026-02-25 -
板卡式功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試機(jī)
普賽斯ATE-3146靜態(tài)測(cè)試機(jī)是一款專注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)；采用PXIe通信架構(gòu)方案，支持板卡靈活擴(kuò)展與高精度電學(xué)特性分析；支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出，且蕞大可擴(kuò)展至3500V、2000A；可與探針臺(tái)(Prober)、分選面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體芯片器件參數(shù)分析儀ivcv曲線測(cè)試機(jī)
SPA6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益 打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓（I-V）、電容-電壓（C-V）以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體面議2026-02-25 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡(jiǎn)述: 作用: 主要應(yīng)用于VCSEL激光器、大功率LED的測(cè)試 功能： 實(shí)現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測(cè)試 特點(diǎn)： （1）超窄脈沖大電流電流加電，能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測(cè)試需要； （2）支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測(cè)試的系統(tǒng)解決方案； （3面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)
普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測(cè)試設(shè)備激光器老化測(cè)試系統(tǒng)是專為解決千瓦級(jí)大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測(cè)試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測(cè)試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2026-02-25
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